BSG0810NDIATMA1
BSG0810NDIATMA1
Número de pieza:
BSG0810NDIATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
53307 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
BSG0810NDIATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PG-TISON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:3 mOhm @ 20A, 10V
Potencia - Max:2.5W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:SP001241674
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1040pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET:Logic Level Gate, 4.5V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 39A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:19A, 39A
Email:[email protected]

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