BSC077N12NS3GATMA1
BSC077N12NS3GATMA1
Número de pieza:
BSC077N12NS3GATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
28673 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
BSC077N12NS3GATMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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VGS (th) (Max) @Id:4V @ 110µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:7.7 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):139W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:BSC077N12NS3 GCT
BSC077N12NS3 GCT-ND
BSC077N12NS3GATMA1CT
BSC077N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5700pF @ 60V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:88nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:120V
Descripción detallada:N-Channel 120V 13.4A (Ta), 98A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:13.4A (Ta), 98A (Tc)
Email:[email protected]

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