BS170-D26Z
Número de pieza:
BS170-D26Z
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
44800 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
BS170-D26Z.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-92-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5 Ohm @ 200mA, 10V
La disipación de energía (máximo):830mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres:BS170-D26ZTR
BS170_D26Z
BS170_D26Z-ND
BS170_D26ZTR
BS170_D26ZTR-ND
BS170D26Z
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:40pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:500mA (Ta)
Número de pieza base:BS170
Email:[email protected]

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