BS108,126
BS108,126
Número de pieza:
BS108,126
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
39192 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
BS108,126.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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VGS (th) (Max) @Id:1.8V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-92-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:5 Ohm @ 100mA, 2.8V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres:934003840126
BS108 AMO
BS108 AMO-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:120pF @ 25V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.8V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción detallada:N-Channel 200V 300mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:300mA (Ta)
Email:[email protected]

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