BMS3003-1E está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para BMS3003-1E, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para BMS3003-1E por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre BMS3003-1E con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
BMS3003-1E
- Número de pieza:
- BMS3003-1E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 60V 78A
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 50082 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- BMS3003-1E.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220F-3SG |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 39A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2W (Ta), 40W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres: | BMS3003-1E-ND BMS3003-1EOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 13200pF @ 20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 285nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción detallada: | P-Channel 60V 78A (Ta) 2W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 78A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BMS3003-1E
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos