BD9150MUV-E2 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para BD9150MUV-E2, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para BD9150MUV-E2 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre BD9150MUV-E2 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
BD9150MUV-E2
- Número de pieza:
- BD9150MUV-E2
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- IC REG BUCK ADJ/3.3V 1.5A 20VQFN
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 25673 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- BD9150MUV-E2.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - Salida (Min / Fijo): | 0.8V (3.3V) |
| Salida de voltaje - (Max): | 2.5V |
| Tensión - Entrada (Min): | 4.75V |
| Tensión - Entrada (Max): | 5.5V |
| topología: | Buck |
| rectificador síncrono: | Yes |
| Paquete del dispositivo: | VQFN020V4040 |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 20-VFQFN Exposed Pad |
| Tipo de salida: | Adjustable (Fixed) |
| Configuración de salida: | Positive |
| Otros nombres: | BD9150MUV-E2TR BD9150MUVE2 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Número de salidas: | 2 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Función: | Step-Down |
| Frecuencia - Conmutación: | 1.5MHz |
| Descripción detallada: | Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable (Fixed) 0.8V (3.3V) 2 Output 1.5A 20-VFQFN Exposed Pad |
| Corriente - Salida: | 1.5A |
| Número de pieza base: | BD915* |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BD9150MUV-E2
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash