BD2202G-LBTR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para BD2202G-LBTR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para BD2202G-LBTR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre BD2202G-LBTR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
BD2202G-LBTR
- Número de pieza:
- BD2202G-LBTR
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- IC LOAD SWITCH PORTABLE 5SSOP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 26324 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.BD2202G-LBTR.pdf2.BD2202G-LBTR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - fuente (Vcc / Vdd): | Not Required |
| Tensión - Carga: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tipo de interruptor: | General Purpose |
| Paquete del dispositivo: | 5-SSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (Tipo): | 150 mOhm |
| Relación - Entrada: Salida: | 1:1 |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-74A, SOT-753 |
| Tipo de salida: | N-Channel |
| Configuración de salida: | High Side |
| Otros nombres: | BD2202G-LBTRTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Número de salidas: | 1 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Interfaz: | On/Off |
| Tipo de entrada: | Non-Inverting |
| Caracteristicas: | - |
| Protección contra fallos: | Current Limiting (Fixed), Over Temperature, UVLO |
| Corriente - Salida (Max): | 200mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BD2202G-LBTR
Latest Noticias
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC