BCX6916E6327HTSA1 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para BCX6916E6327HTSA1, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para BCX6916E6327HTSA1 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre BCX6916E6327HTSA1 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
BCX6916E6327HTSA1
- Número de pieza:
- BCX6916E6327HTSA1
- Descripción:
- TRANS PNP 20V 1A SOT-89
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 45388 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- BCX6916E6327HTSA1.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 20V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 100mA, 1A |
| Tipo de transistor: | PNP |
| Paquete del dispositivo: | PG-SOT89 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 3W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-243AA |
| Otros nombres: | BCX 69-16 E6327 BCX6916 BCX6916E6327 BCX6916E6327BTSA1 BCX6916E6327HTSA1TR BCX6916E6327XT BCX6916INTR BCX6916INTR-ND BCX6916XTINTR BCX6916XTINTR-ND SP000010929 |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 100MHz |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 1A 100MHz 3W Surface Mount PG-SOT89 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 500mA, 1V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 1A |
| Número de pieza base: | BCX69 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BCX6916E6327HTSA1
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga