BAL99-7 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para BAL99-7, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para BAL99-7 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre BAL99-7 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
BAL99-7
- Número de pieza:
- BAL99-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 49677 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- BAL99-7.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.25V @ 150mA |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 75V |
| Paquete del dispositivo: | SOT-23 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | BAL997 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 75V 300mA (DC) Surface Mount SOT-23 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 2.5µA @ 75V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 300mA (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Número de pieza base: | BAL99 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BAL99-7
Latest Noticias
- ARM apareció en Computex 2024: se espera que se puedan usar más de 100 mil millones de dispositivos ARM para AI a fines de 2025
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos