BA6162F-E2 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para BA6162F-E2, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para BA6162F-E2 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre BA6162F-E2 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
BA6162F-E2
- Número de pieza:
- BA6162F-E2
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- IC RESET W/BATT BACKUP SOP8 TR
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 47914 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- BA6162F-E2.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - Umbral: | 4.2V |
| Tipo: | Battery Backup Circuit |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOP |
| Serie: | - |
| Restablecer Tiempo de espera: | - |
| Reiniciar: | Active Low |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Salida: | Open Drain or Open Collector |
| Temperatura de funcionamiento: | -20°C ~ 75°C (TA) |
| Número de voltajes monitoreados: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | Supervisor Open Drain or Open Collector 1 Channel 8-SOP |
| Número de pieza base: | BA6162 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de BA6162F-E2
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash