B82442T1184K050 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para B82442T1184K050, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para B82442T1184K050 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre B82442T1184K050 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
B82442T1184K050
- Número de pieza:
- B82442T1184K050
- Fabricante:
- EPCOS
- Descripción:
- FIXED IND 180UH 350MA 1.96 OHM
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 49057 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- B82442T1184K050.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tipo: | Wirewound |
| Tolerancia: | ±10% |
| Paquete del dispositivo: | 2220 (5650 Metric) |
| Tamaño / Medidas: | 0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm) |
| blindaje: | Unshielded |
| Serie: | SIMID |
| calificaciones: | AEC-Q200 |
| Q según frecuencia: | 20 @ 796kHz |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 2-SMD, J-Lead |
| Otros nombres: | B82442T1184K 50 B82442T1184K50 B82442T1184K50-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Núcleo: | Ferrite |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia de Inductancia - Prueba: | 796kHz |
| Inductancia: | 180µH |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.209" (5.30mm) |
| Frequency - Self Resonant: | 4.2MHz |
| Descripción detallada: | 180µH Unshielded Wirewound Inductor 350mA 1.96 Ohm Max 2-SMD, J-Lead |
| Resistencia de CC (DCR): | 1.96 Ohm Max |
| Valoración actual: | 350mA |
| Corriente - Saturación: | 550mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de B82442T1184K050
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
B82442T1222M050 | EPCOS | FIXED IND 2.2UH 2.71A 38 MOHM | Investigación |
|
B82442T1152M050 | EPCOS | FIXED IND 1.5UH 3.02A 33 MOHM | Investigación |
|
B82442T1224K050 | EPCOS | FIXED IND 220UH 330MA 2.21 OHM | Investigación |
|
B82442T1183K050 | EPCOS | FIXED IND 18UH 1.09A 210 MOHM | Investigación |
|
B82442T1274K050 | EPCOS | FIXED IND 270UH 290MA 2.95 OHM | Investigación |
|
B82442T1125J50 | EPCOS | FIXED IND 1.2MH 140MA 12.6 OHM | Investigación |
|
B82442T1125K050 | EPCOS | FIXED IND 1.2MH 140MA 12.6 OHM | Investigación |
|
B82442T1185J50 | EPCOS | FIXED IND 1.8MH 110MA 19.7 OHM | Investigación |
|
B82442T1275J50 | EPCOS | FIXED IND 2.7MH 90MA 29.5 OHM | Investigación |
|
B82442T1155J50 | EPCOS | FIXED IND 1.5MH 130MA 14.9 OHM | Investigación |
|
B82442T1153K050 | EPCOS | FIXED IND 15UH 1.26A 190 MOHM | Investigación |
|
B82442T1124K050 | EPCOS | FIXED IND 120UH 440MA 1.29 OHM | Investigación |
|
B82442T1185K050 | EPCOS | FIXED IND 1.8MH 110MA 19.7 OHM | Investigación |
|
B82442T1155K050 | EPCOS | FIXED IND 1.5MH 130MA 14.9 OHM | Investigación |
|
B82442T1273K050 | EPCOS | FIXED IND 27UH 880MA 307 MOHM | Investigación |
|
B82442T1225J50 | EPCOS | FIXED IND 2.2MH 100MA 22.5 OHM | Investigación |
|
B82442T1225K050 | EPCOS | FIXED IND 2.2MH 100MA 22.5 OHM | Investigación |
|
B82442T1223K050 | EPCOS | FIXED IND 22UH 1.04A 238 MOHM | Investigación |
|
B82442T1154K050 | EPCOS | FIXED IND 150UH 410MA 1.5 OHM | Investigación |
|
B82442T1123K050 | EPCOS | FIXED IND 12UH 1.38A 141 MOHM | Investigación |
Latest Noticias
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial