ATSAM4N8AA-MUR está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para ATSAM4N8AA-MUR, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para ATSAM4N8AA-MUR por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre ATSAM4N8AA-MUR con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
ATSAM4N8AA-MUR
- Número de pieza:
- ATSAM4N8AA-MUR
- Fabricante:
- Micrel / Microchip Technology
- Descripción:
- IC MCU 32BIT 512KB FLASH 48QFN
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 59161 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- ATSAM4N8AA-MUR.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - fuente (Vcc / Vdd): | FLASH |
| Serie: | SAM4N |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 100MHz |
| requiere: | Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT |
| Tipo de memoria de programa: | 512KB (512K x 8) |
| Tamaño de memoria de programa: | I²C, IrDA, SPI, UART/USART |
| Otros nombres: | 1611-ATSAM4N8AA-MURDKR |
| Tipo de oscilador: | A/D 9x10b |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Sistema operativo: | ARM® Cortex®-M4 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | ATSAM4N8AA-MUR |
| Descripción ampliada: | ARM® Cortex®-M4 SAM4N Microcontroller IC 32-Bit 100MHz 512KB (512K x 8) FLASH |
| Descripción: | IC MCU 32BIT 512KB FLASH 48QFN |
| SRAM de datos Bytes: | - |
| Convertidores de datos: | 1.62 V ~ 3.6 V |
| Tamaño del núcleo: | 64K x 8 |
| Controller Series: | Internal |
| conectividad: | 32-Bit |
| Velocidad de reloj: | 34 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de ATSAM4N8AA-MUR
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash