APTSM120AM08CT6AG
Número de pieza:
APTSM120AM08CT6AG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
POWER MODULE - SIC
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
54436 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
APTSM120AM08CT6AG.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 10mA
Paquete del dispositivo:SP6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 200A, 20V
Potencia - Max:2300W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP6
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1360nC @ 20V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica de FET:Silicon Carbide (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 370A (Tc) 2300W Chassis Mount SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:370A (Tc)
Email:[email protected]

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