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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > APT37M100B2
APT37M100B2
APT37M100B2
Número de pieza:
APT37M100B2
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
34062 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.APT37M100B2.pdf2.APT37M100B2.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:T-MAX™ [B2]
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:330 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo):1135W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3 Variant
Otros nombres:APT37M100B2MI
APT37M100B2MI-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9835pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:305nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V
Descripción detallada:N-Channel 1000V 37A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:37A (Tc)
Email:[email protected]

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