APS-6R3ELL102MJC5S está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para APS-6R3ELL102MJC5S, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para APS-6R3ELL102MJC5S por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre APS-6R3ELL102MJC5S con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
APS-6R3ELL102MJC5S
- Número de pieza:
- APS-6R3ELL102MJC5S
- Fabricante:
- Nippon Chemi-Con
- Descripción:
- CAP ALUM POLY 1000UF 6.3V T/H
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 31843 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- APS-6R3ELL102MJC5S.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Calificación: | 6.3V |
| Tipo: | Polymer |
| Tolerancia: | ±20% |
| Tamaño de la superficie del terreno Monte: | - |
| Tamaño / Medidas: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| Serie: | NPCAP™-PS |
| Corriente de ondulación a alta frecuencia: | 5.5A @ 100kHz |
| calificaciones: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Radial, Can |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 105°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Curso de la vida @ temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| Separación de terminales: | 0.197" (5.00mm) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.512" (13.00mm) |
| ESR (Resistencia serie equivalente): | 10 mOhm |
| Descripción detallada: | 1000µF 6.3V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can 10 mOhm 2000 Hrs @ 105°C |
| Capacidad: | 1000µF |
| aplicaciones: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de APS-6R3ELL102MJC5S
Latest Noticias
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash