AOY2610E
Número de pieza:
AOY2610E
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
52053 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
AOY2610E.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-251B
Serie:AlphaSGT™
RDS (Max) @Id, Vgs:9.5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):59.5W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 19A (Ta) 59.5W (Tc) Through Hole TO-251B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:19A (Ta)
Email:[email protected]

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