AOWF10T60P
Número de pieza:
AOWF10T60P
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-262
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
57149 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
AOWF10T60P.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262F
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:700 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):28W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Otros nombres:785-1655-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1595pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:N-Channel 600V 10A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-262F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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