AONS21357
AONS21357
Número de pieza:
AONS21357
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 8DFN 5X6
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
50040 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
AONS21357.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-DFN-EP (5x6)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:7.8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):5W (Ta), 48W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:785-1793-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2830pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:P-Channel 30V 21A (Ta), 36A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:21A (Ta), 36A (Tc)
Email:[email protected]

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