AOH3110
AOH3110
Número de pieza:
AOH3110
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
44849 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
1.AOH3110.pdf2.AOH3110.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.9V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:700 mOhm @ 900mA, 10V
La disipación de energía (máximo):3.1W (Ta)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:785-1486-1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:100pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:N-Channel 100V 1A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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