AIHD10N60RFATMA1 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para AIHD10N60RFATMA1, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para AIHD10N60RFATMA1 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre AIHD10N60RFATMA1 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
AIHD10N60RFATMA1
- Número de pieza:
- AIHD10N60RFATMA1
- Descripción:
- IC DISCRETE 600V TO252-3
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 35543 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- AIHD10N60RFATMA1.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 600V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.5V @ 15V, 10A |
| Condición de prueba: | 400V, 10A, 26 Ohm, 15V |
| Td (encendido / apagado) @ 25 ° C: | 12ns/168ns |
| Cambio de Energía: | 190µJ (on), 160µJ (off) |
| Paquete del dispositivo: | PG-TO252-3 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 150W |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | SP001346842 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 39 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | Trench Field Stop |
| puerta de carga: | 64nC |
| Descripción detallada: | IGBT Trench Field Stop 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3 |
| Corriente - Colector Pulsada (ICM): | 30A |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 20A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de AIHD10N60RFATMA1
Latest Noticias
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial