AEH08U48N-6L está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para AEH08U48N-6L, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para AEH08U48N-6L por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre AEH08U48N-6L con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
AEH08U48N-6L
- Número de pieza:
- AEH08U48N-6L
- Descripción:
- DC DC CONVERTER 53V 400W
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 42087 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- AEH08U48N-6L.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Salida de voltaje - 3: | - |
| Tensión - Salida 2: | - |
| Salida de voltaje - 1: | 53V |
| Tensión - Entrada (Min): | 38V |
| Tensión - Entrada (Max): | 60V |
| Tipo: | Isolated Module |
| Tamaño / Medidas: | 2.40" L x 2.30" W x 0.50" H (61.0mm x 58.4mm x 12.7mm) |
| Serie: | AEH08 |
| Potencia (W): | 400W |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 9-DIP Module, 1/2 Brick |
| Otros nombres: | 454-1253 AEH08U48N-L AEH08U48N6L |
| Temperatura de funcionamiento: | -5°C ~ 55°C |
| Número de salidas: | 1 |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 24 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Caracteristicas: | Remote On/Off, OCP, OTP, OVP, UVLO |
| Eficiencia: | 94% |
| Descripción detallada: | Isolated Module DC DC Converter 1 Output 53V 7.55A 38V - 60V Input |
| Corriente - Salida (Max): | 7.55A |
| aplicaciones: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de AEH08U48N-6L
Latest Noticias
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash