ADG442BNZ está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para ADG442BNZ, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para ADG442BNZ por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre ADG442BNZ con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
ADG442BNZ
- Número de pieza:
- ADG442BNZ
- Fabricante:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- Descripción:
- IC SWITCH QUAD SPST 16DIP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 38748 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- ADG442BNZ.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje, Sencilla (V +): | 12V |
| Alimentación de voltaje, Dual (V ±): | ±15V |
| Tiempo de conmutación (Ton, Toff) (máx.): | 110ns, 60ns |
| Circuito de interruptores: | SPST - NO |
| Paquete del dispositivo: | 16-PDIP |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Resistencia en el estado (Max): | 70 Ohm |
| Número de circuitos: | 4 |
| Circuito Multiplexor / Demultiplexor: | 1:1 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 9 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | 4 Circuit IC Switch 1:1 70 Ohm 16-PDIP |
| Corriente - Fuga (IS (apagado)) (Máx.): | 500pA |
| Crosstalk: | -100dB @ 1MHz |
| Inyección de Carga: | 1pC |
| Comparación de canal a canal (ΔRon): | - |
| Capacitancia del canal (CS (apagado), CD (apagado)): | 4pF, 4pF |
| Número de pieza base: | ADG442 |
| Ancho de banda de -3 dB: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de ADG442BNZ
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga