ADC12DL040CIVSX/NOPB está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para ADC12DL040CIVSX/NOPB, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para ADC12DL040CIVSX/NOPB por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre ADC12DL040CIVSX/NOPB con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
ADC12DL040CIVSX/NOPB
- Número de pieza:
- ADC12DL040CIVSX/NOPB
- Fabricante:
- TI
- Descripción:
- ADC 12BIT DUAL 40MSPS 64-TQFP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 35953 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- ADC12DL040CIVSX/NOPB.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - fuente, Digital: | 2.4 V ~ 3.6 V |
| Voltaje - fuente, analógico: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Paquete del dispositivo: | 64-TQFP (10x10) |
| Serie: | - |
| Frecuencia de muestreo (por segundo): | 40M |
| Tipo de referencia: | External, Internal |
| Relación - S / H: ADC: | 1:1 |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 64-TQFP |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Número de entradas: | 2 |
| Número de bits: | 12 |
| Número de convertidores A / D: | 2 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | Differential |
| Caracteristicas: | Simultaneous Sampling |
| Descripción detallada: | 12 Bit Analog to Digital Converter 2 Input 2 Pipelined 64-TQFP (10x10) |
| Interfaz de datos: | Parallel |
| Configuración: | S/H-ADC |
| Número de pieza base: | ADC12DL040 |
| Arquitectura: | Pipelined |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de ADC12DL040CIVSX/NOPB
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga