843001BGI-23LFT está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para 843001BGI-23LFT, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para 843001BGI-23LFT por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre 843001BGI-23LFT con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
843001BGI-23LFT
- Número de pieza:
- 843001BGI-23LFT
- Fabricante:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Descripción:
- IC SYNTHESIZER LVPECL 24-TSSOP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 52648 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 843001BGI-23LFT.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 2.375 V ~ 3.465 V |
| Tipo: | Frequency Synthesizer |
| Paquete del dispositivo: | 24-TSSOP |
| Serie: | FemtoClock® |
| Relación - Entrada: Salida: | 3:2 |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| PLL: | Yes with Bypass |
| Salida: | LVCMOS, LVPECL, LVTTL |
| Otros nombres: | ICS843001BGI-23LFT ICS843001BGI-23LFT-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Número de circuitos: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Entrada: | LVCMOS, LVTTL, Crystal |
| Frecuencia - Max: | 650MHz |
| Divisor / Multiplicador: | Yes/No |
| Diferencial - Entrada: salida: | No/Yes |
| Número de pieza base: | ICS843001-23 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 843001BGI-23LFT
Latest Noticias
- Qorvo lanzó los excelentes preliminares MMIMO de 5G MMIMO de alta gota de alta gana de la industria
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC