83CNQ100ASL está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para 83CNQ100ASL, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para 83CNQ100ASL por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre 83CNQ100ASL con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
83CNQ100ASL
- Número de pieza:
- 83CNQ100ASL
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D618SL
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 24630 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 83CNQ100ASL.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1V @ 80A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | D-61-8-SL |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | D-61-8-SL |
| Otros nombres: | *83CNQ100ASL VS-83CNQ100ASL VS-83CNQ100ASL-ND VS83CNQ100ASL VS83CNQ100ASL-ND |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| configuración de diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descripción detallada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 40A Surface Mount D-61-8-SL |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.5mA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 40A |
| Número de pieza base: | 83CNQ100 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 83CNQ100ASL
Latest Noticias
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash