8-1393222-6 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para 8-1393222-6, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para 8-1393222-6 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre 8-1393222-6 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
8-1393222-6
- Número de pieza:
- 8-1393222-6
- Fabricante:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Descripción:
- RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 8A 9V
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 48976 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 8-1393222-6.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Activar Voltaje (Max): | 6.1 VDC |
| Voltaje de apagado (Min): | 0.9 VDC |
| Estilo de terminación: | PC Pin |
| Tensión de conmutación: | 400VAC - Max |
| Serie: | MSR, SCHRACK |
| Tiempo de liberación: | 5ms |
| Tipo de relé: | General Purpose |
| embalaje: | Tube |
| Otros nombres: | 8-1393222-6-ND PB2341 V23061B1004A401 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Tiempo de funcionamiento: | 10ms |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Caracteristicas: | Insulation - Class A, Sealed - Fully |
| Descripción detallada: | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 9VDC Coil Through Hole |
| Clasificación de contacto (actual): | 8A |
| material de los contactos: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| Formulario de contacto: | SPDT (1 Form C) |
| Voltaje de la bobina: | 9VDC |
| Tipo de bobina: | Non Latching |
| Resistencia de la bobina: | 364 Ohms |
| Potencia de la bobina: | 223 mW |
| corriente de la bobina: | 24.7mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 8-1393222-6
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga