7Q-26.000MBS-T está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para 7Q-26.000MBS-T, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para 7Q-26.000MBS-T por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre 7Q-26.000MBS-T con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
7Q-26.000MBS-T
- Número de pieza:
- 7Q-26.000MBS-T
- Fabricante:
- TXC Corporation
- Descripción:
- OSC VCTCXO 26.000MHZ CL SNWV SMD
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 49840 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.7Q-26.000MBS-T.pdf2.7Q-26.000MBS-T.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 3.3V |
| Tipo: | VCTCXO |
| Tamaño / Medidas: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Serie: | 7Q |
| calificaciones: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-SMD, No Lead |
| Salida: | Clipped Sine Wave |
| Otros nombres: | 7Q-26.000MBS-T-ND 7Q26000MBST 887-1544-2 |
| Temperatura de funcionamiento: | -30°C ~ 85°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 15 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.043" (1.10mm) |
| Función: | - |
| Estabilidad de frecuencia: | ±2ppm |
| Frecuencia: | 26MHz |
| Descripción detallada: | 26MHz VCTCXO Clipped Sine Wave Oscillator 3.3V 4-SMD, No Lead |
| Corriente - Fuente (Max): | 2mA |
| Corriente - Fuente (Deshabilitar) (Max): | - |
| Resonador de Base: | Crystal |
| Rango de tracción absoluta (APR): | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 7Q-26.000MBS-T
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga