74AUP1G126FW5-7 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para 74AUP1G126FW5-7, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para 74AUP1G126FW5-7 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre 74AUP1G126FW5-7 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
74AUP1G126FW5-7
- Número de pieza:
- 74AUP1G126FW5-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- IC BUFF NON-INVERT 3.6V 6DFN
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 58270 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 74AUP1G126FW5-7.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Suministro de voltaje: | 0.8 V ~ 3.6 V |
| Paquete del dispositivo: | X1-DFN1010-6 |
| Serie: | 74AUP |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 6-XDFN |
| Tipo de salida: | 3-State |
| Otros nombres: | 74AUP1G126FW5-7DICT |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Número de elementos: | 1 |
| Número de bits por elemento: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de lógica: | Buffer, Non-Inverting |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada: | - |
| Descripción detallada: | Buffer, Non-Inverting 1 Element 1 Bit per Element 3-State Output X1-DFN1010-6 |
| Actual - salida alta, bajo: | 4mA, 4mA |
| Número de pieza base: | 74AUP1G126 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 74AUP1G126FW5-7
Latest Noticias
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash