7447462101 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para 7447462101, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para 7447462101 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre 7447462101 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
7447462101
- Número de pieza:
- 7447462101
- Fabricante:
- Wurth Electronics
- Descripción:
- FIXED IND 100UH 800MA 650 MOHM
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 25968 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 7447462101.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tipo: | Wirewound |
| Tolerancia: | ±10% |
| Paquete del dispositivo: | - |
| Tamaño / Medidas: | 0.236" Dia (6.00mm) |
| blindaje: | Unshielded |
| Serie: | WE-TI |
| calificaciones: | - |
| Q según frecuencia: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Radial |
| Otros nombres: | 732-2573 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Núcleo: | Ferrite |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia de Inductancia - Prueba: | 1kHz |
| Inductancia: | 100µH |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.335" (8.50mm) |
| Frequency - Self Resonant: | 7.1MHz |
| Descripción detallada: | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 550 mOhm Max Radial |
| Resistencia de CC (DCR): | 550 mOhm Max |
| Valoración actual: | 800mA |
| Corriente - Saturación: | 800mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 7447462101
Latest Noticias
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash