71V632S6PFGI está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para 71V632S6PFGI, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para 71V632S6PFGI por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre 71V632S6PFGI con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
71V632S6PFGI
- Número de pieza:
- 71V632S6PFGI
- Fabricante:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Descripción:
- IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 40890 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 71V632S6PFGI.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 3.135 V ~ 3.63 V |
| Tecnología: | SRAM - Synchronous |
| Paquete del dispositivo: | 100-TQFP (14x14) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 100-LQFP |
| Otros nombres: | IDT71V632S6PFGI IDT71V632S6PFGI-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 2Mb (64K x 32) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | SRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SRAM - Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 32) Parallel 83MHz 6ns 100-TQFP (14x14) |
| Frecuencia de reloj: | 83MHz |
| Número de pieza base: | IDT71V632 |
| Tiempo de acceso: | 6ns |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 71V632S6PFGI
Latest Noticias
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido