6-1440006-7 está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para 6-1440006-7, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para 6-1440006-7 por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre 6-1440006-7 con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
6-1440006-7
- Número de pieza:
- 6-1440006-7
- Fabricante:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Descripción:
- RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 48V
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 38245 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.6-1440006-7.pdf2.6-1440006-7.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Activar Voltaje (Max): | 33.6 VDC |
| Voltaje de apagado (Min): | 4.8 VDC |
| Estilo de terminación: | PC Pin |
| Tensión de conmutación: | 240VAC, 28VDC - Max |
| Serie: | T7N |
| Tiempo de liberación: | 5ms |
| Tipo de relé: | General Purpose |
| embalaje: | Tube |
| Otros nombres: | PB1327 T7NS5D4-48,005 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C |
| Tiempo de funcionamiento: | 9ms |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Caracteristicas: | Insulation - Class F, Sealed - Fully |
| Descripción detallada: | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 48VDC Coil Through Hole |
| Clasificación de contacto (actual): | 10A |
| material de los contactos: | Silver Tin Oxide (AgSnO) |
| Formulario de contacto: | SPDT (1 Form C) |
| Voltaje de la bobina: | 48VDC |
| Tipo de bobina: | Non Latching |
| Resistencia de la bobina: | 6.4 kOhms |
| Potencia de la bobina: | 360 mW |
| corriente de la bobina: | 7.5mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 6-1440006-7
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga