5022R-181G está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para 5022R-181G, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para 5022R-181G por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre 5022R-181G con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
5022R-181G
- Número de pieza:
- 5022R-181G
- Fabricante:
- API Delevan
- Descripción:
- FIXED IND 180NH 2.915A 43 MOHM
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 41284 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 5022R-181G.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tipo: | - |
| Tolerancia: | ±2% |
| Paquete del dispositivo: | - |
| Tamaño / Medidas: | 0.520" L x 0.250" W (13.21mm x 6.35mm) |
| blindaje: | Unshielded |
| Serie: | 5022R |
| calificaciones: | - |
| Q según frecuencia: | 50 @ 25MHz |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 2-SMD |
| Otros nombres: | 5022R-181G 800 TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Material - Núcleo: | Phenolic |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 17 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia de Inductancia - Prueba: | 25MHz |
| Inductancia: | 180nH |
| Altura - Asiento (Máx): | 0.230" (5.84mm) |
| Frequency - Self Resonant: | 500MHz |
| Descripción detallada: | 180nH Unshielded Inductor 2.915A 43 mOhm Max 2-SMD |
| Resistencia de CC (DCR): | 43 mOhm Max |
| Valoración actual: | 2.915A |
| Corriente - Saturación: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 5022R-181G
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
5022R-162J | API Delevan | FIXED IND 1.6UH 780MA 600 MOHM | Investigación |
|
5022R-181J | API Delevan | FIXED IND 180NH 2.915A 43 MOHM | Investigación |
|
5022R-183G | API Delevan | FIXED IND 18UH 388MA 2.25 OHM | Investigación |
|
5022R-163J | API Delevan | FIXED IND 16UH 420MA 1.8 OHM SMD | Investigación |
|
5022R-163G | API Delevan | FIXED IND 16UH 420MA 1.8 OHM SMD | Investigación |
|
5022R-163H | API Delevan | FIXED IND 16UH 420MA 1.8 OHM SMD | Investigación |
|
5022R-182F | API Delevan | FIXED IND 1.8UH 755MA 650 MOHM | Investigación |
|
5022R-164G | API Delevan | FIXED IND 160UH 230MA 6.4 OHM | Investigación |
|
5022R-182J | API Delevan | FIXED IND 1.8UH 755MA 650 MOHM | Investigación |
|
5022R-183F | API Delevan | FIXED IND 18UH 388MA 2.25 OHM | Investigación |
|
5022R-164H | API Delevan | FIXED IND 160UH 230MA 6.4 OHM | Investigación |
|
5022R-182G | API Delevan | FIXED IND 1.8UH 755MA 650 MOHM | Investigación |
|
5022R-182H | API Delevan | FIXED IND 1.8UH 755MA 650 MOHM | Investigación |
|
5022R-164F | API Delevan | FIXED IND 160UH 230MA 6.4 OHM | Investigación |
|
5022R-163F | API Delevan | FIXED IND 16UH 420MA 1.8 OHM SMD | Investigación |
|
5022R-183H | API Delevan | FIXED IND 18UH 388MA 2.25 OHM | Investigación |
|
5022R-181F | API Delevan | FIXED IND 180NH 2.915A 43 MOHM | Investigación |
|
5022R-183J | API Delevan | FIXED IND 18UH 388MA 2.25 OHM | Investigación |
|
5022R-181H | API Delevan | FIXED IND 180NH 2.915A 43 MOHM | Investigación |
|
5022R-164J | API Delevan | FIXED IND 160UH 230MA 6.4 OHM | Investigación |
Latest Noticias
- Inventario del ciclo de simulación Totando, AI impulsa la demanda de memoria flash continúa
- Plan de Micron para construir una memoria flash de fábrica, NAND a precios o mantenimiento altos
- El rendimiento de ADI se reduce, los sustratos de aluminio de cobre han aumentado, el almacenamiento de la producción de aumento de la fábrica de fábrica es conservador
- Se acerca la ola de inteligencia en el automóvil, y Aimus Oslang ayudó a Sagita Juguang a liberar el MX LiDAR
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial