300UR120A G BK G está disponible ahora!La tecnología LYNTEAM es el distribuidor de media para 300UR120A G BK G, tenemos las acciones de envío inmediato y también disponible para suministro de tiempo durante mucho tiempo.Envíenos su plan de compra para 300UR120A G BK G por correo electrónico, le daremos un mejor precio según su plan.
Compre 300UR120A G BK G con LYNTEAM, guarde su dinero y tiempo.
Nuestro correo electrónico: [email protected]
300UR120A G BK G
- Número de pieza:
- 300UR120A G BK G
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Opto Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
- Estado sin plomo:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad de stock:
- 50365 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 300UR120A G BK G.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.3V @ 785A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V |
| Paquete del dispositivo: | DO-205AB, DO-9 |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | DO-205AB, DO-9, Stud |
| Otros nombres: | 300UR110 300UR110A 300UR120 300UR120A 300UR120AGBKG A190RPA A190RPB R53110 R53120 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 200°C |
| Tipo de montaje: | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 1200V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9 |
| Corriente - rectificada media (Io): | 250A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Número de pieza base: | 300UR120 |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 300UR120A G BK G
Latest Noticias
- Se excluye la capacidad de producción de HBM, la memoria DRAM puede ser escaso en la segunda mitad del año
- Los fundadores de la pared terminarán, HBM o causarán que Dram se levante nuevamente
- Demanda de expansión de teléfonos móviles y PC de IA, mejora global de la industria de fabricación de semiconductores
- Comprender las necesidades de los sistemas de monitoreo de ADAS y cabina para sensores de imagen de seguridad de red
- Se rumorea que Samsung y Sk Hynix detuvieron DDR3, y la cita de promoción aumentó en un 20 %
- Melexis lanzó MLX90427: control de línea a nuevas opciones, seguros, eficientes y económicos
- Se anunció el informe financiero de NXP y Ansonmei, y el precio de los precios del cobre se transmite a la industria de IC
- Moels Micro Electronics ha establecido una nueva oficina en Taiwán, China para expandir el territorio comercial
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- El informe financiero del primer trimestre del SEF Semiconductor (ST) disminuye, y la demanda de automóviles ha disminuido
- El rendimiento de Texas Instruments aún no se ha aumentado, y las dos fábricas de almacenamiento presionan nuevos productos de memoria flash
- Volumen local de chips maduros, Samsung Nand Flash Capacidad de producción de memoria cerca de la carga