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2SK3564(STA4,Q,M)
- Número de pieza:
- 2SK3564(STA4,Q,M)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 52670 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Voltaje - Prueba: | 700pF @ 25V |
| Tensión - Desglose: | TO-220SIS |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | π-MOSIV |
| Estado RoHS: | Tube |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 3A (Ta) |
| Polarización: | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres: | 2SK3564(Q) 2SK3564(STA4,Q) 2SK3564(STA4Q) 2SK3564(STA4Q)-ND 2SK3564(STA4QM) 2SK3564Q 2SK3564Q-ND 2SK3564STA4QM |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2SK3564(STA4,Q,M) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 17nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4V @ 1mA |
| Característica de FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 900V |
| relación de capacidades: | 40W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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