2SC5706-P-E
2SC5706-P-E
Número de pieza:
2SC5706-P-E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN 100V 5A
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
30771 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
2SC5706-P-E.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
Tensión - Colector-emisor (máx):100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:240mV @ 100mA, 2A
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:TP
Serie:-
Potencia - Max:800mW
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición:400MHz
Descripción detallada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 500mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max):1µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):5A
Email:[email protected]

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