2N6661-2
2N6661-2
Número de pieza:
2N6661-2
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Estado sin plomo:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad de stock:
41289 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
2N6661-2.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-39
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:4 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo):725mW (Ta), 6.25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 25V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:90V
Descripción detallada:N-Channel 90V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:860mA (Tc)
Email:[email protected]

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