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2N2907AE4
- Número de pieza:
- 2N2907AE4
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
- Estado sin plomo:
- RoHS
- Cantidad de stock:
- 24582 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 2N2907AE4.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 60V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Tipo de transistor: | PNP |
| Paquete del dispositivo: | TO-18 |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | RoHS Compliant |
| Potencia - Max: | 500mW |
| Paquete / Cubierta: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Frecuencia - Transición: | - |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 500mW Through Hole TO-18 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 150mA, 10V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 10µA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 600mA |
| Email: | [email protected] |
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