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1SS352,H3F
- Número de pieza:
- 1SS352,H3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA SC76-2
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 20393 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1SS352,H3F.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.2V @ 100mA |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 80V |
| Paquete del dispositivo: | SC-76-2 |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4ns |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SC-76A |
| Otros nombres: | 1SS352(TH3FD)CT 1SS352(TH3FD)CT-ND 1SS352H3FCT |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 125°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-76-2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 500nA @ 80V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 100mA |
| Capacitancia Vr, F: | 3pF @ 0V, 1MHz |
| Número de pieza base: | 1SS352 |
| Email: | [email protected] |
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