VS-GB100TP120N ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für VS-GB100TP120N, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für VS-GB100TP120N per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie VS-GB100TP120N mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
VS-GB100TP120N
- Artikelnummer:
- VS-GB100TP120N
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 21268 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- VS-GB100TP120N.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.2V @ 15V, 100A |
| Supplier Device-Gehäuse: | INT-A-PAK |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 650W |
| Verpackung / Gehäuse: | INT-A-Pak |
| Andere Namen: | VSGB100TP120N |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| NTC-Thermistor: | No |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 37 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingangskapazität (Cíes) @ VCE: | 7.43nF @ 25V |
| Eingang: | Standard |
| IGBT-Typ: | - |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT Module Half Bridge 1200V 200A 650W Chassis Mount INT-A-PAK |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 5mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 200A |
| Konfiguration: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für VS-GB100TP120N
läst Nachrichten
- Es wird gemunkelt, dass Samsung und SK Hynix DDR3 gestoppt haben und das Beförderungszitat um 20 % stieg
- Melexis veröffentlicht MLX90427: Linienkontrolle für neue Auswahl, sicher, effizient und wirtschaftlich
- Der Finanzbericht von NXP und Ansonmei wird angekündigt, und der Preis für Kupferpreise wird an die IC -Industrie übertragen
- Moels Micro Electronics hat in Taiwan, China, neue Büros eingerichtet, um das Geschäftsgebiet auszubauen
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen