VS-GB100TP120N متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل VS-GB100TP120N، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل VS-GB100TP120N عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء VS-GB100TP120N مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
VS-GB100TP120N
- رقم القطعة:
- VS-GB100TP120N
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21268 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- VS-GB100TP120N.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.2V @ 15V, 100A |
| تجار الأجهزة حزمة: | INT-A-PAK |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 650W |
| حزمة / كيس: | INT-A-Pak |
| اسماء اخرى: | VSGB100TP120N |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| NTC الثرمستور: | No |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 37 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 7.43nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Half Bridge 1200V 200A 650W Chassis Mount INT-A-PAK |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 5mA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 200A |
| ترتيب: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVS-GB100TP120N
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار