TPH3206LSB
TPH3206LSB
Artikelnummer:
TPH3206LSB
Hersteller:
Transphorm
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 16A PQFN
Bestandsmenge:
58287 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
TPH3206LSB.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 500µA
Vgs (Max):±18V
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:PQFN (8x8)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 10A, 8V
Verlustleistung (max):81W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:3-PowerDFN
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:720pF @ 480V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6.2nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):8V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

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