TPH3206LSB متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل TPH3206LSB، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل TPH3206LSB عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء TPH3206LSB مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
TPH3206LSB
- رقم القطعة:
- TPH3206LSB
- الصانع:
- Transphorm
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 16A PQFN
- كمية المخزون:
- 58287 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- TPH3206LSB.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.6V @ 500µA |
| فغس (ماكس): | ±18V |
| تكنولوجيا: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PQFN (8x8) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 180 mOhm @ 10A, 8V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 81W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 3-PowerDFN |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 720pF @ 480V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.2nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 8V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTPH3206LSB
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
TPH3208PS | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 | تحقيق |
 |
TPH3206LDGB | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 16A PQFN | تحقيق |
|
TPH3206PS | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 17A TO220 | تحقيق |
|
TPH3208LDG | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 20A PQFN | تحقيق |
 |
TPH3208LS | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 20A PQFN | تحقيق |
|
TPH3202PD | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 | تحقيق |
|
TPH3208PD | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 20A TO220 | تحقيق |
|
TPH3206PSB | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB | تحقيق |
 |
TPH3208LSG | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN | تحقيق |
 |
TPH3205WSB | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 36A TO247 | تحقيق |
 |
TPH3206LD | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 17A PQFN | تحقيق |
|
TPH3206LS | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 17A PQFN | تحقيق |
|
TPH3202LS | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 9A PQFN | تحقيق |
|
TPH3206LDB | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 16A PQFN | تحقيق |
|
TPH3207WS | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 50A TO247 | تحقيق |
|
TPH3202PS | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 | تحقيق |
|
TPH3206PD | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 17A TO220 | تحقيق |
|
TPH3202LD | Transphorm | MOSFET N-CH 600V 9A PQFN | تحقيق |
|
TPH3205WSBQA | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 35A TO247 | تحقيق |
|
TPH3208LD | Transphorm | MOSFET N-CH 650V 20A PQFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي