TPC8211(TE12L,Q,M)
Artikelnummer:
TPC8211(TE12L,Q,M)
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
20797 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
1.TPC8211(TE12L,Q,M).pdf2.TPC8211(TE12L,Q,M).pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse:8-SOP (5.5x6.0)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:36 mOhm @ 3A, 10V
Leistung - max:450mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:5.5A
Email:[email protected]

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