Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > TPC8211(TE12L,Q,M)
TPC8211(TE12L,Q,M)
Part Number:
TPC8211(TE12L,Q,M)
Výrobce:
Toshiba Semiconductor and Storage
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
Vedoucí volný stav:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství zásob:
20797 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Dodací lhůta:
4-8 weeks
Datový list:
1.TPC8211(TE12L,Q,M).pdf2.TPC8211(TE12L,Q,M).pdf
Dotaz

Úvod

TPC8211(TE12L,Q,M) je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro TPC8211(TE12L,Q,M), máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro TPC8211(TE12L,Q,M) e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si TPC8211(TE12L,Q,M) s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]

Specifikace

Stav New & Original, tested
Země původu Contact us
Označovací kód Send by email
Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 1mA
Dodavatel zařízení Package:8-SOP (5.5x6.0)
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:36 mOhm @ 3A, 10V
Power - Max:450mW
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Detailní popis:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:5.5A
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro TPC8211(TE12L,Q,M)

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
TPC817S1C RAG Image TPC817S1C RAG TSC (Taiwan Semiconductor) OPTOISO 5KV TRANS 4SOP Dotaz
TPC8207(TE12L) Image TPC8207(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP Dotaz
TPC817MC C9G Image TPC817MC C9G TSC (Taiwan Semiconductor) OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M Dotaz
TPC8208(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8 Dotaz
TPC8212-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 Dotaz
TPC8A06-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP Dotaz
TPC8408,LQ(S Image TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP Dotaz
TPC8221-H,LQ(S Image TPC8221-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP Dotaz
TPC8405(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP Dotaz
TPC8A02-H(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B Dotaz
TPC817S1A RAG Image TPC817S1A RAG TSC (Taiwan Semiconductor) OPTOISO 5KV TRANS 4SOP Dotaz
TPC8A05-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP Dotaz
TPC817S1B RAG Image TPC817S1B RAG TSC (Taiwan Semiconductor) OPTOISO 5KV TRANS 4SOP Dotaz
TPC8407,LQ(S Image TPC8407,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP Dotaz
TPC8223-H,LQ(S Image TPC8223-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP Dotaz
TPC8208(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP Dotaz
TPC817S1D RAG Image TPC817S1D RAG TSC (Taiwan Semiconductor) OPTOISO 5KV TRANS 4SOP Dotaz
TPC8207(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP Dotaz
TPC817MD C9G Image TPC817MD C9G TSC (Taiwan Semiconductor) OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M Dotaz
TPC8213-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8 Dotaz

Latest News