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TK10J80E,S1E
- Artikelnummer:
- TK10J80E,S1E
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V TO-3PN
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 44002 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- TK10J80E,S1E.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3P(N) |
| Serie: | π-MOSVIII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1 Ohm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 250W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Andere Namen: | TK10J80E,S1E(S TK10J80ES1E |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 800V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 800V 10A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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