STGD4M65DF2
STGD4M65DF2
Artikelnummer:
STGD4M65DF2
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
41990 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
STGD4M65DF2.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 4A
Testbedingung:400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:12ns/86ns
Schaltenergie:40µJ (on), 136µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:DPAK
Serie:M
Rückwärts-Erholzeit (Trr):133ns
Leistung - max:68W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:497-16963-2
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:Trench Field Stop
Gate-Ladung:15.2nC
detaillierte Beschreibung:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK
Strom - Collector Pulsed (Icm):16A
Strom - Kollektor (Ic) (max):8A
Email:[email protected]

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