STGD4M65DF2 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro STGD4M65DF2, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro STGD4M65DF2 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si STGD4M65DF2 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
STGD4M65DF2
- Part Number:
- STGD4M65DF2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
- Popis:
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 41990 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- STGD4M65DF2.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 650V |
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 4A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 4A, 47 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 12ns/86ns |
| přepínání energie: | 40µJ (on), 136µJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | DPAK |
| Série: | M |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 133ns |
| Power - Max: | 68W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Ostatní jména: | 497-16963-2 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 15.2nC |
| Detailní popis: | IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 16A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 8A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro STGD4M65DF2
Latest News
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory