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SSM6J502NU,LF(T
- Artikelnummer:
- SSM6J502NU,LF(T
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 59946 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SSM6J502NU,LF(T.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 6-UDFNB (2x2) |
| Serie: | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 23.1 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 1W (Ta) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | SSM6J502NULF(TDKR SSM6J502NULFDKR SSM6J502NULFDKR-ND |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 24.8nC @ 4.5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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