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SSM6J213FE(TE85L,F
- Artikelnummer:
- SSM6J213FE(TE85L,F
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 56391 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SSM6J213FE(TE85L,F.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | ES6 |
| Serie: | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 500mW (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | SSM6J213FE(TE85LFTR SSM6J213FETE85LF |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.7nC @ 4.5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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