SI1016X-T1-E3
SI1016X-T1-E3
Artikelnummer:
SI1016X-T1-E3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
36701 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
SI1016X-T1-E3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:SC-89-6
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Leistung - max:250mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:SOT-563, SOT-666
Andere Namen:SI1016X-T1-E3TR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
Typ FET:N and P-Channel
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array N and P-Channel 20V 485mA, 370mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:485mA, 370mA
Basisteilenummer:SI1016
Email:[email protected]

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